一、霍尔元件的载流子是什么？

当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。

金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。

二、霍尔元件的载流子类型？

这要根据电流、电压、磁场方向才能说明清楚.例如把显示屏当做霍尔元件,磁场方向由显示屏正面垂直指向显示屏背面,电流从左往右流,如果载流子是电子的话,则电子运动的方向与电流方向相反,从右向左,电子所受洛伦兹力方向向上,电子就会在显示屏上端聚集.如果试验中发现上端的电势低于下端电势的话,就可以判断载流子是电子,就是n型半导体,n是negative的缩写,就是消极的、负的意思.如果载流子是空穴的话,空穴就相当于正电荷,那么它的运动方向与电流相同,从左往右,空穴受洛伦兹力方向向上,则上方会有正电荷聚集,实验中发现上方的电势高于下方的电势时,就可以判断它是p型半导体,p是positive的缩写,是积极的,正的意思.

三、霍尔元件电流多少？

霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。

早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge）。

很显然，霍尔元件电流大小是5a。

四、霍尔元件适用的电流是？

开关型霍尔的额定输出电流(负载能力)一般为25mA,但有些可以达到50mA;静态电源电流为5mA左右 线性霍尔的负载能力要弱些,一般为1-2mA,静态电流大约在5mA上下。

五、霍尔元件最小电流是多少？

5a。

霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。

早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge）。

很显然，霍尔元件电流大小是5a。

六、实验时霍尔元件为什么放中间位置载流子浓度？

只要分别测出霍尔电流IH及霍尔电势差UH就可算出磁场B的大小.2mm厚，直到电场对载流子的作用力FE=qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，宽度为b。洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，一般只有0;(mA·T)，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力

（3－14－1）

式中q为电子电荷，是研究半导体材料的重要手段。KH与载流子浓度p成反比，知道了霍尔片的灵敏度KH。

霍尔电势差是这样产生的，所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

七、霍尔元件电流计算公式？

霍尔效应从本质上讲是运动的带点粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。其中由fm=qvb和fe=qEh得Eh=vB。

Eh=Uh/b 得Uh=Ehb=vBb。Is=dQ/dt=nedV/dt=nedbv。

Uh=IsB/ned，Uh=RhIsB/d得Uh=KhIsB。

如果已知霍尔片得灵敏度Kh，只要分别测出霍尔电压Vh和工作电流Is，就可以计算出磁场B的大小，即B=Uh/Kh*Is。这为利用霍尔效应测磁场的原理。在一定的外磁场B中，如果已知霍尔片的灵敏度Kh，只要测出霍尔电压Vh，就可以计算出通过霍尔元件的工作电流Is，即Is=Uh/Kh*B。这为利用霍尔效应检测电流的原理。

八、霍尔元件和反霍尔元件原理？

霍尔元件工作原理是当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。

九、1、做霍尔效应实验时，为什么要改变霍尔元件工作电流的方向和励磁线圈电流的方向？

1、霍尔效应实验的工作电流和励磁电流都是用的恒流源，改变励磁电流方向，电流的大小是不变的。

2霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。 虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。

十、霍尔元件通以交变电流如何测量霍尔电压？

测量输出电压的平均值或真有效值。平均值，有源整流后滤波为直流。真有效值直接用真有效值集成电路。